发明名称 AN ELECTRICALLY ALTERABLE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 EP0231507(A3) 申请公布日期 1988.04.20
申请号 EP19860117929 申请日期 1986.12.23
申请人 SIERRA SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 NOLAN, JOSEPH G.;VAN BUSKIRK, MICHAEL A.;CHIU, TE-LONG;SHUM, YING K.
分类号 H01L21/8247;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/112;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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