| 摘要 |
On peut faire croître des couches épitaxiales (43) sans dislocation sur la surface (42) de substrats (41) monocristal à discordance réticulaire, tels que du germanium ou de l'arsénure de gallium sur du silicium, à condition que les surfaces soient configurées de manière appropriée, c'est-à-dire alvéolaire ou poreuse. |
