| 发明名称 | 一种光电阴极导电基底 | ||
| 摘要 | 提出了一种新的光电阴极导电基底，此种导电基底是通过在光电阴极玻璃窗上真空镀铬1000厚，用铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成了任意走向的线宽为2～4μm和铬网。这种光电阴极导电基底的面电阻率低于300μΩ/□，光透过率大于80％，并与任何半导体光电阴极相容。由于该导电网络走向是随机的，光电器件的空间分辨率不受莫尔现象的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN87106900A | 申请公布日期 | 1988.04.13 |
| 申请号 | CN87106900 | 申请日期 | 1987.10.10 |
| 申请人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明人 | 牛憨笨 |
| 分类号 | H01J1/34;H01L31/02 | 主分类号 | H01J1/34 |
| 代理机构 | 中国科学院西安专利事务所 | 代理人 | 顾伯勋;谢碧华 |
| 主权项 | 1、一种超快速光电器件的半导体光电阴极导电基底，其特征在于在光电阴极玻璃窗上真空镀铬约1000<img file="87106900_IMG2.GIF" wi="28" he="43" />厚，采用铬板进行光刻，通过腐蚀，在光电阴极玻璃窗上形成任意走向的线宽为2～4μm的铬网。 | ||
| 地址 | 陕西省西安市友谊西路74号 | ||