| 发明名称 |
LATERAL INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR & METHOD OF MANUFACTURING SUCH TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB8806014(D0) |
申请公布日期 |
1988.04.13 |
| 申请号 |
GB19880006014 |
申请日期 |
1988.03.14 |
| 申请人 |
PHILIPS ELECTRONIC & ASSOCIATED INDUSTRIES LTD |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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