| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE COMPORTANT DU SULFURE, DERIVES SULFURES OBTENUS ET APPAREILLAGE POUR LA MISE EN OEUVRE DU PROCEDE |
| 摘要 |
<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE ISOLANTE COMPORTANT DU SULFURE SUR UN SUBSTRAT CRISTALLIN SEMI-CONDUCTEUR D'ORIENTATION PARTICULIERE, EN PARTICULIER EN VUE DE CREER UNE STRUCTURE MIS, CARACTERISE EN CE QUE L'ON SOUMET LEDIT SUBSTRAT CRISTALLIN SEMI-CONDUCTEUR A UNE DECHARGE ELECTROLUMINESCENTE DANS UNE ATMOSPHERE GAZEUSE CONTENANT AU MOINS UN DERIVE GAZEUX DU SOUFRE.</P><P>ELLE CONCERNE EGALEMENT LES DERIVES OBTENUS ET L'APPAREILLAGE NECESSAIRE POUR LA MISE EN OEUVRE DU PROCEDE.</P>
|
| 申请公布号 |
FR2604826(A1) |
申请公布日期 |
1988.04.08 |
| 申请号 |
FR19860013883 |
申请日期 |
1986.10.06 |
| 申请人 |
ETAT FRANCAIS CNET;CENTRE NAL RECHERC SCIENTIFIQUE |
发明人 |
PIERRE DIMITRIOU;GEORGES POST;LOUIS COT;JEAN DURAND;MICHEL GENDRY |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/314;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/94;H01L21/203;H01L29/20 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
