| 发明名称 |
SIMULATION METHOD OF DETERIORATION OF HOT CARRIER IN MOS TYPE TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0799302(A) |
申请公布日期 |
1995.04.11 |
| 申请号 |
JP19930241161 |
申请日期 |
1993.09.28 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
SHIMIZU SATORU;TANIZAWA MOTOAKI |
| 分类号 |
H01L29/00;G01R31/26;G06F17/50;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/00 |
主分类号 |
H01L29/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
