| 发明名称 |
Electrically erasable and programmable read only memory with trench structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0485018(B1) |
申请公布日期 |
1996.01.03 |
| 申请号 |
EP19910202818 |
申请日期 |
1991.10.31 |
| 申请人 |
PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
发明人 |
MUKHERJEE, SATYENDRANATH;TSOU, LEN-YUAN;KUO, DI-SON |
| 分类号 |
G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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