| 发明名称 |
BiCMOS process having narrow bipolar emitter and implanted aluminum isolation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4734382(A) |
申请公布日期 |
1988.03.29 |
| 申请号 |
US19870017387 |
申请日期 |
1987.02.20 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
KRISHNA, SURINDER |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/761;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/383;H01L21/425 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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