| 发明名称 |
DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE INTEGRATO DI TIPO MOS CON SPESSORE DELL'OSSIDO DI PORTA NON UNIFORME E PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DELLO STESSO |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT1191558(B) |
申请公布日期 |
1988.03.23 |
| 申请号 |
IT19860083616 |
申请日期 |
1986.04.21 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
PICCO PAOLO;CAVIONI TIZIANA;MAURELLI ALFONSO |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
