发明名称 COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS6364367(A) 申请公布日期 1988.03.22
申请号 JP19860208579 申请日期 1986.09.04
申请人 NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> 发明人 MAEZAWA KOICHI;MIZUTANI TAKASHI
分类号 H01L21/20;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/80;H01L29/812 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
地址