| 主权项 |
1.一种电子-陶瓷组件,具有可定义组件功能之陶瓷 组件体(1;10),其具有适用于SMD-安装之形式,此种电 子-陶瓷组件另具有可设置在组件体(1;10)上之连接 金属件(2,3)以及保护性封套(15至18),其特征为: 保护性封套(15至18)由二种不同材料所构成,这些封 套各设置在组件体(1;10)之二个相对的可由连接金 属件(2,3)自由移动之面(10至14)上。2.如申请专利范 围第1项之组件,其中保护性封套(15至18)由设置组 件体(1;10)之二个相对面(11,12)上之薄片(15,16)以及 设置在组件体(1;10)之另二个相对面(13,14)中之高欧 姆表面层(17,18)所构成。3.如申请专利范围第1或第 2项之组件,其中薄片(15,16)之材料是一种绝缘材料 。4.如申请专利范围第1或第2项之组件,其中薄片( 15,16)之材料是BaTiO3,SiO2或Al2O3。5.如申请专利范围 第1或第2项之组件,其中薄片(15,16)之材料是玻璃。 6.如申请专利范围第1或第2项之组件,其中薄片(15, 16)之材料是高欧姆之陶瓷,这种陶瓷和组件体(1;10) 之陶瓷相同。7.如申请专利范围第2项之组件,其中 高欧姆表面层(17,18)是已掺杂之层。8.一种制造申 请专利范围第1至第7项中任一项组件之方法,其特 征为: 组件体(1;10)和薄片(15,16)是藉箔片抽拉而制成,高 欧姆表面层(17,18)是以掺杂物质藉掺杂过程而制成 ,最好是藉此种组件功能实现所需之导电性时所用 掺杂物质来制造。9.如申请专利范围第8项之方法, 其中所形成高欧姆表面层(17,18)时所进行之掺杂过 程是以含有掺杂物质之介质藉组件体(1;10)之浸渍 来完成。10.如申请专利范围第9项之方法,其中浸 渍介质是一种含有掺杂物质之悬浮体。11.如申请 专利范围第9项之方法,其中浸渍介质是一种含有 掺杂物质之溶液。12.如申请专利范围第8项之方法 ,其中藉丝网印刷法,滚筒或溅镀法而将掺杂物质 沈积在组件体(1;10)上以形成高欧姆表面层(17,18)。 13.如申请专利范围第8至第12项中任一项之方法,其 中对由组件体陶瓷(10)和薄片(15,16)所构成之箔片 堆叠进行挤压以形成原始体,在可由薄片(15,16)自 由移动之相对面上制造高欧姆表面层(17,18)且进行 烧结过程。14.如申请专利范围第13项之方法,其中 在制造高欧姆表面层(17,18)之前此原始体积分割成 各组件体(1)。图式简单说明: 第一图适用于SDM-安装之电子-陶瓷组件的透视图 。 第二图以陶瓷体作为原始元件来制造本发明之组 件时,此陶瓷体之透视图。 第三图在具有本发明之保护性封套的平面III-III中 的切面图。 第四图在第二图之平面IV-IV中对应于第三图之切 面图。 第五图本发明之内电极式组件之对应于第四图之 图解。 |
