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1.一种在积体半导体电路中由铂金属所构成之电 容器电极之制造方法,其特征为以下之步骤: -制造一种电容器电极所用之载体,其具有含矽之 表面, -在含矽之表面上制造导电性电极本体(10),其基本 上具有即将产生之电容器电极之几何形式,使电极 本体(10)之相邻处可露出含矽之表面, -沈积一层由由金属(11)所构成之层, -进行加温过程,使铂金属层之位于含矽之表面上 之区域被矽化, -去除铂金属矽化物(11')。2.如申请专利范围第1项 之制造方法,其中在电极本体(10)之制造过程中须 对接触孔进行蚀刻以便将连接结构(9)容纳于载体 中直至一较深(deep)之导电性结构(2)为止。3.如申 请专利范围第1或第2项之制造方法,其中载体之制 造包括须沈积一层矽层(8)以作为最上方之层。4. 如申请专利范围第3项之制造方法,其中在矽层(8) 上产生一层氧化矽层以作为保护层。5.如申请专 利范围第3项之制造方法,其中在矽层(8)之下于载 体上沈积一层蚀刻停止层(7)。6.如申请专利范围 第4项之制造方法,其中在矽层(8)之下于载体上沈 积一层蚀刻停止层(7)。7.如申请专利范围第1或第2 项之制造方法,其中在沈积铂金属层(11)之前须制 成位障层(9,10,14)以防止氧之扩散。8.如申请专利 范围第1或第2项之制造方法,其中在制成接触孔之 后在整面上沈积一层位障层,而连接结构(9)和电极 本体(10)是由位障层所形成。9.如申请专利范围第2 项之制造方法,其中在制成接触孔之后在整面上沈 积一层导电层且相对于连接结构(9)而被回蚀刻,然 后在整面上沈积一层位障层且相对于电极本体(10) 而被结构化。10.如申请专利范围第2项之制造方法 ,其中在制成接触孔之后在整面上沈积一层导电层 ,连接结构(9)和电极本体(10)是由导电层所形成,然 后藉由加温过程而在电极本体之裸露的表面上形 成氧化位障。11.如申请专利范围第2项之制造方法 ,其中氧扩散位障(14b)藉由间隔物(spacer)技术而形 成于电极本体(10)之侧壁上。12.一种在积体半导体 电路中由铂金属所构成之电容器电极之制造方法, 其特征为以下之步骤: -制造一种含有隔离层(6')之载体且在此隔离层(6') 上沈积一层矽层(8), -在矽层(8)中产生一个开口,其所具有之侧面范围 基本上和即将产生之电容器电极者相同, -沈积一层由铂金属(11)所构成之层, -进行一种加温步骤,使铂金属层之位于矽层上之 区域被矽化, -去除铂金属矽化物。13.如申请专利范围第1,2或12 项之制造方法,其中随后在所产生之电容器电极上 沈积铁电性介电质或顺电性介电质(12),其上再沈 积电容器第二电极(13)。14.如申请专利范围第1,2或 12项之制造方法,其中使用铂作为铂金属。图式简 单说明: 第一图至第三图半导体配置之横切面图。本方法 之第一实施例藉这些图来作说明。 第四图至第十一图本方法之其它实施例。 |
