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发明名称 HIGH-BREAKDOWN-STRENGTH MOS FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
摘要
申请公布号 JPS6362381(A) 申请公布日期 1988.03.18
申请号 JP19860208153 申请日期 1986.09.03
申请人 NEC CORP 发明人 NAKADA HIDETOSHI
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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