首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCESS FOR DRY ETCHING A SILICON NITRIDE LAYER
摘要
申请公布号 EP0187601(A3) 申请公布日期 1988.03.16
申请号 EP19850402634 申请日期 1985.12.26
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 SHIN, TESHIKI
分类号 H01L21/302;H01L21/145;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com