发明名称 电浆处理装置及其操作方法
摘要 一种在真空中对工作物件进行电浆处理的装置包括一个由电浆槽(1)构成的并排结构(20)。对来回于并排结构上各电畿槽间之工件物件的操纵程序是藉由一个操纵装置并透过电畿槽的侧边操纵开口而依平行方式执行的,此操纵装置是可以绕一个平行于电浆槽之操纵开口的轴旋转的目包括一些可以同时对朝向以及来自各操纵开口之轴作径向运动的传输装置。
申请公布号 TW461230 申请公布日期 2001.10.21
申请号 TW088118227 申请日期 1999.10.21
申请人 恩艾克斯巴尔斯股份有限公司 发明人 马克吉尔亚历山大;梅尔汉斯安德瑞斯;侏安德佛莱迪
分类号 H05H1/00;H01L21/00 主分类号 H05H1/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种用于真空电浆处理装置,包括: -至少一个处理站,其具有至少两个互为埋叠且呈 垂直对齐的基板载具,又具有至少两个相互呈垂直 对齐且个别与该至少两个载具之一呈水平对齐的 可密封操纵开口: -一个传输槽,系经由该操纵开口而该至少一个处 理站相通,且包括一个可绕垂直轴旋转的传输机器 人设备,并包括至少两个作水平伸展而实质上与该 至少两个载具对齐且可作轴向运动的基板支架。2 .如申请专利范围第1项之装置,其中该处理站包括 至少两个呈真空密闭而分别含有一个该基板载具 以及一个该操纵开口的分开处理槽,或者包括至少 两个落在共同真空槽内的处理区间,因而落在共同 真空槽内的各处理区间会藉由开放气体的流动交 换或是经由允许于区间及真空槽内维持不同压力 的压力平台而与真空槽相通。3.如申请专利范围 第1项之装置,其中该处理站所包括基板载具的数 目是与机器入设备上所提供支架的数目相同或是 此支架数目的整数倍。4.如申请专利范围第1项之 装置,其中该处理站包括分别于邻近而面朝该至少 两个基板载具处提供一个作二维伸展之RF电浆放 电电极配置。5.如申请专利范围第4项之装置,其中 该电极配置是以操作方式连接到一个RF供应产生 器配置上。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该 供应产生器配置上至少有一个部位是连接到该处 理站上。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该处 理站包括至少一个气体入口配置以及至少一个气 体取用出口配置。8.如申请专利范围第2项之装置, 其中该真空密闭处理槽各包括至少一个泵抽线以 及至少一个气体入口线,或者该共同真空槽至少一 个泵抽线以及至少一个气体入口线,及/或该共同 真空槽内的该处理区间各包括至少一个泵抽线以 及至少一个气体入口线。9.如申请专利范围第1项 之装置,其中该处理站具有下列截面形状之一:多 边形;具有双数边的多边形;具有四个边的多边形, 方形。10.如申请专利范围第1项之装置,其中该处 理站包括该基板载具以及该操纵开口中的两个。 11.如申请专利范围第1项之装置,其中该机器人设 备包括一个承载着该至少两个工作物件支架的垂 直框架,该框架可做水平以及驱动方式来回地绕该 旋转轴运动,该至少两个基板支架会于已收缩位置 置从该框架朝向该机器人设备的旋转轴伸展。12. 如申请专利范围第11项之装置,其中该框架是可驱 动地藉由水平面内的一对可动双杠杆配置连结到 该机器人设备的中央部位上,每一个配置的第一杠 杆都是依可驱动方式且依可绕一个垂直轴作枢轴 旋转方式连结到机器人设备的中央部份,每一个双 杠杆配置中的第二个杠杆都是依可作枢轴旋转方 式连结到框架上,每一个配置的第一和第二杠杆都 是依可作枢轴旋转方式连结的且对一个含有该旋 转轴的平面而言会透过该框架形成朝外弯折的肘 状关节结构。13.如申请专利范围第1项之装置,其 中该传输槽具有下列截面形状之一:多边形;具有 双数边的多边形;具有四个边的多边形;方形。14. 如申请专利范围第1项之装置,又包括一个含有几 个另外基板载具的负载锁定站配置,系作水平排列 且相互是呈垂直对齐的,该另外基板载具的数目是 至少等于该支架的数目。15.如申请专利范围第14 项之装置,其中该另外基板载具的数目是等于该支 架数目的整数倍。16.如申请专利范围第14项之装 置,其中该负载锁定站配置包括至少两个可依关闭 方式密封于该传输槽上的操纵开口以及至少两个 可依关闭方式密封于周遭环境上的操纵开口,密封 于该传输槽上的该开口以及密封于周遭环境上的 该开口分别都是呈垂直对齐的。17.如申请专利范 围第1项之装置,其中该支架是共同而可驱动地在 垂直方向上下运动或者是可分别具可驱动地分别 在垂直方向上下运动。18.如申请专利范围第15项 之装置,其中该整数是二。19.如申请专利范围第14 项之装置,其中该负载锁定槽配置包括一个以上可 分开操作的负载锁定区间,各具有该另外基板载具 、该操纵开口、以及该另外操纵开口中的至少一 个。20.如申请专利范围第19项之装置,其中该负载 锁定区间的数目是等于该支架的数目或是其整数 倍。21.如申请专利范围第14项之装置,又包括一个 含有至少一个水平基板载具的环境机器人设备。 22.一种制造真空电浆制程处理基板的方法,其包括 有 -曝露一第一群基板于一第一真空电浆处理站中, 其系垂直地对齐于一第一电浆真空处理; -在该第一群基板正曝露于该第一电浆真空期间, 曝露一第二群基板于一第二真空电浆处理站且垂 直地对齐于一第二电浆真空处理; -使该第一电浆真空处理失效,藉此维持该第二电 浆处理的活性; -移除该第一群且由该第一电浆真空处理而受到处 理的基板从该第一真空电浆处理站至一真空传输 槽中,藉此维持在该第二真空处理站中的该第二电 浆处理的活性; -引进一另一第一群且尚未由该第一电浆真空处理 而受到处理的基板进入于该第一真空电浆处理站, 藉此维持在该第二真空电浆处理站中的该第二电 浆处理的活性; -使在该第一真空电浆处理站中的该第一电浆真空 处理有效,藉此由该第一电浆真空处理以处理该另 一第一群基板; -使该第二电浆真空处理失效,藉此维持该第一电 浆处理的活性; -移除该第二群且由该第二电浆真空处理而受到处 理的基板从该第二真空电浆处理站至该真空传输 槽中,藉此维持在该第一电浆真空处理站中的该第 一电浆处理的活性; -引进一另一第二群且尚未由该第二电浆真空处理 而受到处理的基板进入于该第二真空电浆处理站, 藉此维持在该第一真空电浆处理站中的该第一电 浆处理的活性; -使在该第二电浆处理站中的第二电浆真空处理有 效,藉此以藉由该第二电浆真空处理以处理该另一 第二群基板。23.如申请专利范围第1项之装置,其 中该基板是平坦的显示面板基板、平坦的主动式 显示面板基板、TFT显示面板基板中的一种。24.如 申请专利范围第23项之装置,其中该基板至少是30 公分30公分。25.如申请专利范围第22项之方法,其 中该基板是平坦的显示面板基板、平坦的主动式 显示面板基板、TFT显示面板基板中的一种。26.如 申请专利范围第22项之方法,其中该基板具有至少 是30公分30公分的范围。27.如申请专利范围第1项 之装置,其中该处理站是一种RF乾燥蚀刻站。图式 简单说明: 第一图图式题示的是本发明较佳实施例中所用电 浆槽之第一实施例的简略截面图示。 第二图a图式显示了本发明在第一结构中的装置。 第二图b-第二图d与第二图a所示的装置不同,显示 的是根据第二图a原理之本发明装置中电浆槽的充 电及放电循环。 第三图图式显示了在提供于如第二图a所示装置中 电浆槽上的门装置以便至少依可控制方式在电浆 槽内部与传输槽之间(其中它们的横向操纵开口会 邻近或甚至达到真空密闭的程度)实现一个压力平 台。 第四图a-第四图e俯视图图式显示了本发明中具有 两个电浆槽、一个负载锁定槽、以及一个较佳操 作循环之装置。 第五图a-第五图d图式显示了根据第二图提供于本 发明装置上的电浆槽配置,其中分别藉由一个中央 电浆发射监视器对不同电浆槽内电浆处理的中央 监控程序的实例而显示出以气体作中央馈给程序( a),中央泵抽程序(b),以电能作中央馈给程序(c),以 及对量测、控制、及/或受负値反馈控制的回路- 调整-信号的中央处理程序。 第六图图式显示了根据第二图之本发明装置上负 载锁定槽仓库配置之较佳实施例的截面图示。 第七图图式显示了对如第一图所示电浆槽之较佳 改良的截面图示,此图系依本发明的方式订在本发 明装置之处理站内以便藉由控制对电浆处理环境 内粉尘的利用而用于解释这种电浆槽的较佳作业 。 第八图a-第八图e图式显示根据第二图之本发明装 置之电浆槽上的吸引配置,以便实现已在第七图的 辅助下作一般化解释的粉尘利用。 第九图图式显示了依本发明的方式订在本发明装 置之处理站上之电浆槽的较佳操纵顺序,因此利用 了已在第七图的辅助下加以说明的方法,一方面用 于控制形成于电浆放电器内的粉尘,另一方面用于 控制利用这种粉尘形成以提高处理品质和效率,且 持别是因此提高了电浆被覆速率。 第十图图式显示的是施行本发明装置之最佳形式 的示意侧视代表图。 第十一图显示的是如第十图所示最佳装置之示意 俯视图。 第十图a-第十图c及第十一图a-第十一图c为第十图 和第十一图所示实施例在不同操作位置上的视图 。 第十二图图式显示如第十图和第十一图所示装置 之最佳结构的示意图。 第十三图显示的是如第十二图所示装置之最小结 构内进行处理之基板的最佳处理图表。 第十四图显示的是由是如第十二图所示装置实现 用于从短的直到非常长的处理程序的处理时间顺 序。 第十五图-第十七图图式显示了结合在本发明装置 内之处理站的三个实施例,其差异是处理环境的压 缩情形。 第十八图图式显示了藉由结全在本发明装置内且 可作垂直伸展和收缩之机器人设备简略了另一个 扮演着处理站及/或负载锁定槽配置角色的实施例 。 第十九图-第二十二图显示的是对如第十图和第十 一图所示装置的不同修改。
地址 列支敦斯登大公国