| 主权项 |
1.一种利用电浆以监视一处理之方法,该方法至少 包含步骤: 量测电浆宽频带光学电磁发射属性以外之属性,以 产生具有一相关振幅之至少一频率分量的检测信 号,及 于时间上监视该检测信号之至少一频率分量之振 幅。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述 之量测电浆之属性以产生具有相关振幅之至少一 频率分量之检测信号包含步骤有量测电浆之属性, 以产生具有多数频率分量之一检测信号,每一频率 分量具有一相关振幅;及 其中于时间上监视该检测信号之至少一频率分量 之振幅包含步骤有于时间上监视该检测信号之多 数频率分量之振幅。3.如申请专利范围第1项所述 之方法,其中上述之于时间上监视检测信号之至少 一频率分量之振幅包含于时间上监视相关于电浆 处理化学反应速率之频率之检测信号之至少一频 率分量之振幅。4.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中上述之于时间上监视检测信号之至少一频 率分量之振幅包含于时间上监视检测信号之至少 一频率分量之振幅,该检测信号具有较用以产生电 浆之RF频率为低之频率。5.如申请专利范围第4项 所述之方法,其中上述之于时间上监视检测信号之 至少一频率分量之振幅包含于时间上监视检测信 号之至少一频率分量之振幅,该检测信号具有较50 kHz为低之频率。6.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中上述之量测电浆之属性以产生一检测信号 之步骤包含: 收集由电浆所产生之电磁发射,该电磁发射有一与 其相关之强度;及 基于所收集之电磁发射之强度,而产生一检测信号 ,该检测信号具有于其相关振幅之至少一频率分量 。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之 收集由电浆所产生之电磁发射包含步骤: 提供一光二极体;及 经由该光二极体收集电磁发射。8.如申请专利范 围第6项所述之方法,其中上述之收集由电浆所产 生之电磁发射包含步骤: 提供一光滤色机制,适用以使来自电浆内之化学物 种之电磁发射通过;及 由光学滤色机制收集所迅过之电磁发射。9.如申 请专利范围第8项所述之方法,其中上述之光学滤 色机制包含由玻璃滤色器及单色仪光学滤色机制 所构成群组所选出之光学滤色机制。10.如申请专 利范围第8项所述之方法,其中上述之化学物种包 含由BCl,Al,AlCl,Ar,Cl及Si构成之群组选出之化学物种 。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述 之产生检测信号包含产生一检测器电流。12.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中上述之量测电 浆之属性以产生一检测信号之步骤包含量测用于 该晶圆托架之一前向及反射RF功率之至少一个,以 产生具有与其相关之振幅之至少一频率分量之检 测信号。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中上述之于时间上监视检测信号之至少一频率分 量之振幅包含步骤: 取样该检测信号; 将多数检测信号取样由时域取样转换为频域取样; 及 于时间上监视至少一频域取样。14.如申请专利范 围第13项所述之方法,其中上述之将多数检测信号 取样由时域取样转换成频域取样包含步骤有于时 域取样上执行一快速傅氏转换。15.一种用以检测 电浆处理终点之方法,至少包含步骤: (a)于电浆处理时,执行申请专利范围第1项所述之 方法; (b)基于检测信号之至少一监视频率分量,而产生用 于该电浆处理之特性指纹; (c)检测用于电浆处理之终点的至少一特性指示之 电浆处理之特性指纹;及 (d)将至少一特性之发生等化为电浆处理之终点。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,更包含步骤: (e)于等化至少一特性之发生至电浆处理之终点后, 执行另一时间段之电浆处理。17.如申请专利范围 第15项所述之方法,其中上述之步骤(a)-(d)系于电浆 处理时被执行。18.如申请专利范围第15项所述之 方法,其中于电浆处理后,步骤(a)-(d)之至少一步骤 被执行。19.一种于电浆处理时检测穿透之方法,至 少包含步骤: 于电浆处理时,执行申请专利范围第1项所述之方 法; 基于该检测信号之至少一监视频率分量,来产生用 于该电浆处理之特性指纹; 检测电浆处理之特性指纹的至少一特性,用以于电 浆处理时,指示穿透;及 将至少一特性之发生等化至穿透。20.一种停止蚀 刻之方法,至少包含步骤: 于电浆处理时,执行如申请专利范围第19项所述之 方法;及 于将发生至少一特性等化至穿透后,停止该电浆处 理。21.一种于电浆处理时检测不当夹持之方法,至 少包含步骤: 于电浆处理时,执行如申请专利范围第1项所述之 方法: 基于检测信号之至少一监视频率分量,产生用于电 浆处理之特性指纹; 于电浆处理时,检测用于该电浆处理至少一特性之 特性指纹,该至少一特性表示不当夹持,及 于电浆处理时,将至少一特性之发生等化至不当夹 持。22.一种于可能故障之室中检测一故障之方法, 至少包含步骤: 于未故障室内之电浆处理时,执行如申请专利范围 第1项所述之方法; 基于检测信号之至少一监视频率分量,产生于该未 故障室内之电浆处理之特性指纹; 于电浆处理中,在该可能故障室内执行如申请专利 范围第1项所述之方法; 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生一 特性指纹,用于该可能故障室内之电浆处理; 将于未故障室内之电浆处理之特性指纹与可能故 障室内之电浆处理之特性指纹相比;及 若未故障室之电浆处理之特性指纹不同于可能故 障室内之电浆处理之特性指纹超出一定量时,将该 可能故障室指定为故障。23.如申请专利范围第22 项所述之方法,其中上述之未故障室及可能故障室 为相同室。24.一种用以将一第一室匹配置第二室 之方法,至少包含步骤: 于第一室内电浆处理时,执行如申请专利范围第1 项所述之方法; 基于检测信号之至少一监视频率分量,产生用于第 一室内之电浆处理之特性指纹; 于电浆处理时,检测用于该电浆处理至少一特性之 特性指纹; 于第二室内电浆处理时,执行如申请专利范围第1 项所述之方法; 基于该检测信号之至少一监视频率分量,产生该第 二室内之电浆处理之特性指纹; 将第一室内之电浆处理之特性指纹与第二室之电 浆处理之特性指纹相比较;及 若第一室内之电浆处理之特性指纹不同于第二室 内之电浆处理之特性指纹少于一预定量时,指定第 一及第二室匹配。25.一种用以即时电浆处理控制 之方法,至少包含步骤: 于电浆处理时,执行如申请专利范围第1项所述之 方法;及 基于检测信号之至少一监视频率分量,而调整于电 浆处理时之电浆处理之处理参数。26.如申请专利 范围第25项所述之方法,其中上述之于电浆处理时, 调整处理参数包含调整由RF功率,晶圆温度,及蚀刻 速率构成之群组中所选出上调整处理参数。27.一 种使用一电浆以监视一处理之设备,至少包含: 一量测设备,适用以量测宽频带光学电磁发射属性 以外之电浆属性,并基于其上而产生一检测信号, 该检测信号具有一与之相关之振幅之至少一频率 分量;及 一处理机制,连接至该量测设备,该处理机制系适 用以接收该检测信号,并于时间上检视检测信号之 至少一频率分量之振幅。28.如申请专利范围第27 项所述之设备,其中上述之量测设备系适用以量测 电浆之一属性,并适用以基于如此而产生一检测信 号,该检测信号具有多数频率分量,每一频率分量 具有一与之相关之振幅;及 其中该处理机制系更适用以于时间上监视该检测 信号之多数频率分量之振幅。29.如申请专利范围 第27项所述之设备,其中上述之量测设备包含一检 测器,适用以检测示自电浆之电磁发射之强度,及 并基于此而产生一检测信号,该检测信号具有至少 一频率分量,其具有一与其相关之振幅。30.如申请 专利范围第29项所述之设备,其中上述之检测器包 含一发光二极体。31.如申请专利范围第30项所述 之设备,更包含一光纤连接至该光二极体,该光纤 系适用以收集来自电浆之电磁发射,并传送电磁发 射至光二极体。32.如申请专利范围第30项所述之 设备,更包含一光滤色器适用以收集来自电浆之电 磁发射,并将来自电浆内一化学物种之电磁发射传 送给光二极体。33.如申请专利范围第29项所述之 设备,其中该检测器包含一光电倍增管及更包含一 单色仪接近于该光电倍增管,该单色仪系适用以传 送示自电浆内之化学物种传送至光电倍增管。34. 如申请专利范围第27项所述之设备,其中上述之量 测设备包含一RF功率量测装置,适用以量测用于一 晶圆托架之前向及反射RF功率,并基于与其相关之 振幅之至少一频率分量,而产生一检测信号。35.如 申请专利范围第27项所述之设备,其中上述之处理 机制包含具有程式码储存于其中之电脑系统,用以 : 于时间上,监视检测信号之至少一频率分量之振幅 。36.如申请专利范围第35项所述之设备,其中上述 之电脑系统更包含程式码,用以: 取样该检测号; 将多数检测信号取样由时域取样转换为频域取样; 及 于时间上,监视至少一频域取样。37.如申请专利范 围第36项所述之设备,更包含一数位信号处理机,用 以连接至该电脑系统,并适用以将时域取样转换为 频域取样。38.如申请专利范围第35项所述之设备, 其中上述之电脑系统更包含程式码,用以: 基于检测信号之至少一监视频率分量,以产生用于 电浆处理之特性指纹; 检测该电浆处理之特性指纹之至少一特性,其指示 电浆处理之终点; 等化至少一特定之发生至电浆处理之终点;及 于等化至少一特性之发生至电浆处理之终点后,产 生一终点警告信号。39.如申请专利范围第35项所 述之设备,其中该电脑系统更包含程式码,用以: 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生用 于电浆处理之特性指纹; 检测电浆处理之特性指纹之至少一特性,其系指示 于电浆处理时之穿透;及 等化至少一特性之发生至穿透。40.如申请专利范 围第39项所述之设备,其中上述之电脑系统更包含 程式码,用以: 于等化至少一特性之发生至穿透后,停止电浆处理 。41.如申请专利范围第35项所述之设备,其中上述 之电脑系统更包含程式码,用以: 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生用 于电浆处理之特性指纹; 检测电浆处理之特性指纹之至少一特性,其系指示 于电浆处理时之不当夹持;及 于电浆处理时,等化至少一特性之发生至不当夹持 。42.如申请专利范围第41项所述之设备,其中上述 之电脑系统更包含程式码,用以: 于等化至少一特性之发生至不当夹持后,停止电浆 处理。43.如申请专利范围第35项所述之设备,其中 上述之电脑系统更包含程式码,用以: 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生一 特性指纹,用于该内之电浆处理; 将该室内之电浆处理之特性指纹与非故障室内之 电浆处理之特性指纹相比;及 若非故障室之电浆处理之特性指纹不同于该室内 之电浆处理之特性指纹超出一定量时,将该室指定 为故障。44.如申请专利范围第35项所述之设备,其 中上述之电脑系统更包含程式码,用以: 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生一 特性指纹,用于该可能故障室内之电浆处理; 将于该室内之电浆处理之特性指纹与可能故障室 内之电浆处理之特性指纹相比;及 若可能故障室之电浆处理之特性指纹不同于该室 内之电浆处理之特性指纹少于一定量时,将该室及 该可能故障室指定为匹配。45.如申请专利范围第 35项所述之设备,其中上述之电脑系统更包含程式 码,用以: 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而产生一 于电浆处理时之用于电浆处理之特性指纹; 基于该检测信号之至少一监视频率分量,而调整于 电浆处理时之电浆处理之处理参数。46.一种自动 半导体装置制造工具,至少包含: 至少一真空隔绝室; 一晶圆操作室,连接至该真空隔绝室,该晶圆操作 室具有一晶圆操作器于其中; 多数处理室,连接至该晶圆操作器及晶圆操作室; 及 如申请专利范围第27项所述之设备,连接至多数处 理室之至少一室。47.一种使用电浆监视一处理之 方法,至少包含步骤: 量测电浆之一属性,以产生具有至少一频率分量之 检测信号,该等频率分量具有一相关振幅; 取样该检测信号; 将多数检测信号取样由时域取样转换为频域取样; 及 于时间上监视至少一频域取样。48.如申请专利范 围第47项所述之方法,其中上述之量测电浆之一属 性以产生检测信号包含步骤: 收集由电浆所产生之电磁发射,电磁发射具有一与 其相关之强度;及 基于所收集之电磁发射强度,而产生一检测信号, 该检测信号具有至少一频率分量,诸分量具有于其 相关之振幅。49.如申请专利范围第48项所述之方 法,其中上述之收集由电浆所产生之电磁发射包含 收集波长由200至1100奈米之电磁发射。50.如申请专 利范围第48项所述之方法,其中上述之收集由电浆 所产生之电磁发射包含: 提供一光二极体;及 经由该光二极体收集电磁发射。51.如申请专利范 围第48项所述之方法,其中上述收集由电浆所产生 之电磁发射包含: 提供一光滤色机制,适用以使来自电浆之化学物种 之电磁发射通过;及 收集通过光滤色机制之电磁发射。52.一种即时电 浆处理控制之方法,至少包含步骤: 于电浆处理时,执行如申请专利范围第47项所述之 方法;及 基于至少一监视频域取样,调整于电浆处理时之电 浆处理之处理参数。53.一种利用电浆以监视处理 之设备,至少包含: 一量测设备,适用以量测一电浆之属性,并基于此 产生一检测信号,该检测信号具有至少一频率分量 ,其具有与之相关之振幅;及 一处理机制,连接至量测设备,该处理机制适用以: 接收该检测信号; 取样该检测信号; 将多数检测信号取样由时域取样转换为频域取样; 及 于时间上监视至少一频域取样。54.如申请专利范 围第53项所述之设备,其中上述之量测设备包含一 检测器,适用以检测来自一电浆之电磁发射之强度 ,并基于此产生一检测信号,该检测信号具有至少 一频率分量,其具有一相关振幅。55.如申请专利范 围第54项所述之设备,其中上述之检测器包含一光 二极体。56.如申请专利范围第54项所述之设备,更 包含一光滤色器适用以收集来自电浆之电磁发射, 并将来自电浆内一化学物种之电磁发射传送给光 二极体。57.一种监视化学反应之方法,至少包含步 骤: 量测一宽频带光电浆电磁发射外之化学反应之属 性,以产生一检测信号,其具有至少一频率分量,其 具有一相关振幅;及 于时间上监视检测信号之至少一频率分量之振幅, 该至少一监视频率分量系相关于该化学反应之化 学反应速率。58.如申请专利范围第57项所述之方 法,其中量测化学反应之属性之步骤包含: 于电浆处理时,收集所产生之电磁发射,该电磁发 射具有一与其相关之强度;及 基于收集电磁发射之强度,而产生一检测信号,该 检测信号具有至少一频率分量,其具有与其相关之 振幅。59.如申请专利范围第57项所述之方法,其中 上述之量测化学反应之一属性包含量测用于一晶 圆托架之前向及反射RF功率之至少之一,以产生具 有至少一频率分量之检测信号,该等分量系具有一 与其相关之振幅。60.一种监视化学反应之方法,至 少包含步骤: 量测该化学反应之属性,以产生具有至少一频率分 量之检测信号,该等分量系具有一与其相关之振幅 ; 取样该检测信号; 将多数检测信号取样由时域取样转换为频域取样; 及 于时间上,监视至少一频域取样,该被监视之至少 一频域取样系相关于该化学反应之化学反应速率 。61.如申请专利范围第60项所述之方法,其中上述 之量测化学反应之属性的步射包含: 于电浆处理时,收集所产生之电磁发射,电磁发射 具有与之相关之强度;及 基于该收集之电磁发射之强度,而产生一检测信号 ,该检测信号具有至少一频率分量,其具有与之相 关之振幅。62.如申请专利范围第60项所述之方法, 其中上述之量测化学反应之属性之步骤包含量测 一晶圆托架之前向及反射RF功率之至少之一,以产 生具有至少一频率分量之检测信号,诸频率分量具 有一相关之振幅。图式简单说明: 第一图A-第一图C为利用依据本发明之发明处理监 测系统之电浆处理系统之示意图; 第二图为由第一图A之发明处理监测系统所产生之 光发射频谱信号之代表图; 第三图A为于铝蚀刻时,依据本发明所产生之光低 频发射(OLE)资料之轮廓图; 第三图B为一光发射频谱信号之图表,第三图A之OLE 资料系由该处产生; 第三图C为一多层半导体结构之剖面示意图,其系 被蚀刻以产生第三图B之光发射频率信号; 第四图A为于多晶矽蚀刻时,依据本发明所产生之 光低频发射(OLE)资讯之轮廓图; 第四图B为一光发射频谱信号之图表,第四图A之OLE 资料系由该处产生; 第四图C为一多晶矽堆叠结构之剖面图,其系被蚀 刻以产生第四图B之光发射频谱信号; 第五图为第一图A-第一图C之发明处理监测系统之 示意图,其中,使用一专用数位信号处理机(DSP); 第六图为第一图A-第一图C之电浆处理系统之示意 图,适用以监测于电浆处理时,之RF功率上下变动; 第七图A为于电浆蚀刻第三图C之多层半导体结构 时,所产生之前向RF功率检测信号导出之资料之轮 廓图; 第七图B为一前向RF功率检测信号之图表,第七图A 之资料系由该处产生;及 第八图为依据本发明之制造半导体元件之自动工 具之俯视图。 |
