Process for the preparation of polycrystalline silicon layers by electrolytic deposition of silicon.

摘要

Ein neues Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Silizium aus einer Schmelze, die kovalente Siliziumverbindungen, insbesondere Siliziumtetrahlogenide, ferner Aluminiumhalogenide, Alkalimetallhalogenide und Halogenide von Uebergangsmetallen enthält, wird bei relativ niedrigen Temperaturen von 100 bis 350°C in inerter Atmosphäre durchgeführt. Die Siliziumabscheidung erfolgt kathodisch oder anodisch auf elektrisch leitendem Material. Die Siliziumschichten sind homogen und haften gut auf der Unterlage. Die beschichteten Materialien können Verwendung zur Herstellung photoleitfähiger oder photovoltaischer Vorrichtungen finden.