PLASMA ETCHING EQUIPMENT

摘要

Es wird eine Plasmaätzanlage (5) zum insbesonderen anisotropen Ätzen eines Substrates (11) durch Einwirken eines Plasmas vorgeschlagen. Die Plasmaätzanlage (5) weist dazu eine insbesondere induktiv gekoppelte erste Plasmaerzeugungsvorrichtung (21) mit einem ersten Mittel (14) zum Generieren eines ersten hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes, einem ersten Plasmaerzeugungsbereich (18) zur Erzeugung eines ersten Plasmas und einer ersten Gaszuführung (19) sowie eine der ersten Plasmaerzeugungsvorrichtung vorgeschaltete, insbesondere induktiv gekoppelte zweite Plasmaerzeugungsvorrichtung (20) mit einem zweiten Mittel (15) zum Generieren eines zweiten hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfeldes, einem zweiten Plasmaerzeugungsbereich (17) zum Erzeugen eines zweiten Plasmas und einer zweiten Gaszuführung (16) auf. Das zu ätzende Substrat (11) ist dabei in der ersten Plasmaerzeugungsvorrichtung (21) angeordnet. Weiter ist vorgesehen, dass das zweite Plasma der ersten Plasmaerzeugungsvorrichtung (21) über die erste Gaszuführung (19) zumindest teilweise als erstes Reaktivgas zuführbar ist.