发明名称 新颖之酯化合物,高分子化合物,光阻材料及图型形成方法
摘要 本发明系有关下列一般式(1)所示之酯化合物。(式中,R1为氢原子、甲基或CH2CO2R3;R2为氢原子、甲基或CO2R3;R3为碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基;k为0或1;Z为与键结之碳原子形成单环或交联环之碳数2至20可含有杂原子的2价烃基;m为0或1,n为0、1、2或3,且2m+n=2或3。)以本发明之高分子化合物作为基底树脂之光阻材料能感应高能量线及具有优良之灵敏度、解像性、耐蚀性,因此,适用于利用电子线或远紫外线之微细加工。特别是对 ArF激元激光、KrF激元激光之曝光波长的吸收性较小,故其有易形成微细且垂直于基板之图型的特性。
申请公布号 TW507117 申请公布日期 2002.10.21
申请号 TW090109382 申请日期 2001.04.19
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 长谷川幸士;西恒宽;金生刚;渡边武;中岛睦雄;橘诚一郎;山润
分类号 G03F7/039;C08F20/18;C07C69/54 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种酯化合物,其为,下列一般式(1)所示之物, (式中,R1为氢原子、甲基或CH2CO2R3;R2为氢原子、甲 基或CO2R3;R3为碳数1至15之直链状、支链状或环状 烷基;k为0或1;Z为与键结之碳原子形成单环或交联 环之碳数2至20可含有杂原子之2价烃基;m为0或1,n为 0.1.2或3,且2m+n=2或3)。2.一种重量平均分子量1,000至 500,000之高分子化合物,其特征为,含有以申请专利 范围第1项之一般式(1)所示酯化合物为原料之下列 一般式(1a-1)及/或(1a-2)所示重覆单位, (式中,R1为氢原子、甲基或CH2CO2R3;R2为氢原子、甲 基或CO2R3;R3为碳数1至15之直链状、支链状或环状 烷基:k为0或1;Z为与键结之碳原子形成单环或交联 环之碳数2至20可含有杂原子之2价烃基;m为0或1,n为 0.1.2或3,且2m+n=2或3)。3.如申请专利范围第2项之高 分子化合物,其中,含有至少1个下列式(2a)至(10a)所 示重覆单位, (式中,R1.R2.k同上述;R4为氢原子、碳数1至15含有羧 基或羟基之1价烃基;R5至R8中至少1个为碳数1至15含 有羧基或羟基之1价烃基,其余各自独立为氢原子 、碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基;R5至R8 可相互形成环,此时R5至R8中至少1个为碳数1至15含 有羧基或羟基之2价烃基,其余各自独立为单键、 碳数1至15之直链状、支链状或环状伸烷基;R9为碳 数3至15含有-CO2-部分构造之1价烃基;R10至R13中至少 1个为碳数2至15含有-CO2-部分构造之1价烃基,其余 各自独立为氢原子、碳数1至15之直链状、支链状 或环状烷基;R10至R13可相互形成环,此时R10至R13中 至少1个为碳数1至15含有-CO2-部分构造之2价烃基, 其余各自独立为单键、碳数1至15之直链状、支链 状或环状伸烷基;R14为碳数7至15之多环式烃基或含 有多环式烃基之烷基;R15为酸不安定基;X为-CH2-或-O -;Y为-O-或-(NR16)-、R16为氢原子、碳数1至15之直链 状、支链状或环状烷基)。4.一种高分子化合物之 制造方法,其特征为,对一般式(1)之酯化合物与含 有碳-碳双键之其他化合物进行自由基聚合,阴离 子聚合或配位聚合反应,其中, 自由基聚合反应之反应条件为,(a)以苯等烃类、四 氢喃等醚类、乙醇等醇类或甲基异丁基酮等酮 类为溶剂,(b)以2,2′-偶氮双异丁等偶氮化合物, 或过氧化苯醯、过氧化月桂醯等过氧化物作为聚 合引发剂,(c)反应温度保持于0至100℃,(d)反应时间 为0.5小时至48小时; 阴离子聚合反应之反应条件为,(a)以苯等烃类、四 氢喃等醚类或液体氨为溶剂,(b)以钠、钾等金属 或m-丁基锂、sec-丁基锂等烷基金属或羰游基、格 利雅反应剂为聚合引发剂,(c)反应温度保持于-78℃ 至0℃,(d)反应时间为0.5小时至48小时、(e)以甲醇等 质子供给性化合物、碘化甲酯等卤化物、其他求 电子性物质为停止剂; 配位聚合之反应条件为,(a)以n-庚烷、甲苯等烃类 为溶剂,(b)以钛等过渡金属及烷基铝所形成之齐格 勒-纳塔触媒、附载铬及镍化合物之金属氧化物的 菲利普触媒、以钨及铼混合触媒为代表之烯烃-歧 化混合触媒等为触媒,(c)反应温度保持于0℃至100 ℃,(d)反应时间为0.5小时至48小时者。5.一种光阻 材料,其特征为,含有如申请专利范围第2或3项之高 分子化合物。6.一种光阻材料,其特征为,含有如申 请专利范围第2或3项之高分子化合物及能感应高 能量线或电子线而产酸之化合物及有机溶剂。7. 一种图型之形成方法,其特征系包含,将如申请专 利范围第5或6项之光阻材料涂布于基板上之步骤 及,加热处理后介有照相图罩以高能量线或电子线 曝光之步骤及,于必要时之加热处理后利用显像液 显像之步骤。图式简单说明: [图1]合成例1-1所得之Monomerl的1H-NMR光谱(CDC13.270MHz) 。
地址 日本