| 摘要 |
本发明系有关一种移转一电性主动薄膜由一初始基材至一目标基材之方法，包含下列步骤：–经由初始基材之一面进行离子植入，俾相对于该初始基材之被植入面于预定深度，形成一嵌置脆变层，如此一薄膜被定界于该被植入面与该被嵌置面间；–将该初始基材之被植入面调整为与目标基材之一面作正向连结；–于嵌置薄膜高度，分开该薄膜与初始基材其余部分；–减薄移转至目标基材之薄膜。于离子植入阶段，植入剂量、能量及电流经选择，让植入缺陷之连结系低于预定临限值，结果于减薄之薄膜内部获得多数受体缺陷，该缺陷可与薄膜之预定电气性质相容。 |
