发明名称 | 罩幕式唯读记忆体之结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种罩幕式唯读记忆体之结构及其制造方法,此结构包括一基底;复数个闸极,配置在部分基底之上方;一闸介电层,配置在基底与闸极之间;复数条埋入式位元线,配置在闸极两侧之基底中;一绝缘层,配置在埋入式位元线之上方以及闸极之间;复数条字元线,每一字元线系以垂直于埋入式位元线之方向配置在相同一列之闸极上与绝缘层上;以及一编码层,配置在字元线以及闸极之间。 | ||
申请公布号 | TW200408116 | 申请公布日期 | 2004.05.16 |
申请号 | TW091132552 | 申请日期 | 2002.11.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
分类号 | H01L27/112;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |