| 摘要 |
Dans un procédé de formation de tranchées planes étroites et larges remplies de matériau diélectrique dans des dispositifs de circuit intégré, après la formation des tranchées (2, 3) dans le substrat (1), des couches successives de nitrure de silicium conforme (15), de polysilicium conforme (14) et d'oxyde relativement conforme déposé en phase vapeur (CVD) (16) sont formées de façon à s'adapter à la profondeur relative des tranches (2, 3). Un masque photorésistant (22) est ensuite d'abord formé de façon sélective sur les régions centrales des tranches larges (3) puis utilisés comme masque durant l'attaque anisotrope de l'oxyde exposé. La couche de polysilicium sous-jacente (14) sert de couche inhibant l'action de l'agent d'attaque et fournit en outre le matériau à partir duquel la prochaine phase d'oxydation servira a remplir partiellement les régions préalablement attaquées avec du bioxyde de silicium. Une couche supplémentaire d'oxyde est ensuite formée par déposition et oxydation multiples. La couche de nitrure (13) sous-jacente à la couche de polysilicium empêche l'oxydation du substrat. La fabrication se termine par un aplanissement du niveau des régions actives (8, 9, 11) ainsi que par l'attaque de la couche de nitrures (13) se trouvant sur lesdites régions actives (8, 9, 11). |
