| 主权项 |
1.一种晶片封装结构,包括:一第一基板,其具有多数个第一焊垫;一第二基板,系配置在该第一基板上方,且具有多数个第二焊垫;多数个凸块,其分别配置在该些第一焊垫或该些第二焊垫上,该第二基板透过该凸块而电性连接至该第一基板;以及一具有B阶特性的黏着材料,配置于该些第一焊垫与该些第二焊垫之间,且包围各该凸块。2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该些凸块系包括结线凸块或电镀凸块。3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该黏着材料为一黏着层,且该黏着层为非导电。4.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该黏着材料包括多数个黏着块。5.如申请专利范围第4项所述之晶片封装结构,其中该些黏着块为导电。6.如申请专利范围第4项所述之晶片封装结构,其中该些黏着块为非导电。7.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一基板与该第二基板皆为晶片。8.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一基板为一承载器,且该第二基板为一晶片。9.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该具有B阶特性的黏着材料的玻璃转化温度系介于-40℃与175℃之间。10.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包括一承载器与复数条打线导线,其中该第一基板与该第二基板系配置在该承载器上,且该第一基板系透过该些打线导线而电性连接至该承载器。11.一种凸块制程,其包括:提供一具有多数个焊垫的基板;于各该焊垫上形成一凸块;于该基板上形成一具有双阶特性的热固性黏着材料,以包围各该凸块;以及预固化该具有双阶特性的热固性黏着材料,以形成一具有B阶特性的黏着材料。12.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该些凸块包括结线凸块或电镀凸块。13.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该具有双阶特性的热固性黏着材料系利用网版印刷、印刷、喷涂、旋涂或浸渍形成。14.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该热固性黏着材料是一热固性黏着层。15.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该热固性黏着材料包括多数个热固性黏着块。16.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该具有双阶特性的热固性黏着材料系藉由曝露于紫外光而预固化。17.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该具有双阶特性的热固性黏着材料系藉由加热而预固化。18.如申请专利范围第11项所述之凸块制程,其中该具有B阶特性的黏着材料之玻璃转化温度系介于-40℃与175℃之间。图式简单说明:图1绘示为习知之具有高分子凸块的晶片封装结构的剖面示意图。图2绘示为本发明的第一实施例的晶片封装结构之的剖面示意图。图3绘示据本发明的第二实施例的晶片封装结构的剖面示意图。图4绘示为本发明的一个实施例的堆叠式晶片封装结构的剖面示意图。图5A至图5D绘示为本发明之凸块制程的制作流程剖面图。 |
