| 发明名称 |
METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING ION BEAM DOSE IN ION INJECTION OF SEMICONDUCTOR WAFER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6353847(A) |
申请公布日期 |
1988.03.08 |
| 申请号 |
JP19870185333 |
申请日期 |
1987.07.24 |
| 申请人 |
EATON CORP |
发明人 |
DAIAAMEIDO FUYUU DAGURASUUHAMIRUTON;JIYON FUIRITSUPU RATSUFUERU |
| 分类号 |
G21K5/04;G01T1/12;G01T1/29;H01J37/317;H01L21/265;H01L21/66 |
主分类号 |
G21K5/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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