| 主权项 |
1.一种于半导体装置形成微光阻图案之方法,包含下列步骤:使用步进机于半导体基板上形成光阻图案;及使用氧基灰化光阻图案以减少光阻图案之线条宽度,其中氧基乃由臭氧灰化器里之臭氧经由热分解所形成,且其中之臭氧浓度范围约为5积体百分比(vol%)至约7积体百分比(vol%)。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中热分解乃经由紫外光照射而完成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,半导体基板由支撑半导体基板之加热器区块加热。4.如申请专利范围第1项所述之方法,灰化步骤于标准气压下实行。5.如申请专利范围第1项所述之方法,步进机为KrF-Excimer雷射步进机。6.如申请专利范围第2项所述之方法,臭氧之热分解于约130EC至约200EC温度范围下实行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,光阻图案包含负型或正型光阻层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,步进机之光源由g线,i线及ArF中选择。9.一种半导体装置,其系根据申请专利范围第1项所述之方法制造。10.一种于半导体装置形成微光阻图案之方法,包含下列步骤:使用步进机于半导体基板上形成光阻图案;及使用氧基灰化光阻图案以减少光阻图案之线条宽度,臭氧灰化器里由紫外光照射形成之氧基,其臭氧浓度范围约为5积体百分比(vol%)至约7积体百分比(vol%)。11.如申请专利范围第10项所述之方法,半导体基板由支撑半导体基板之加热器区块加热。12.如申请专利范围第10项所述之方法,灰化步骤于标准气压下实行。13.如申请专利范围第12项所述之方法,臭氧之热分解于约130EC至约200EC温度范围下实行。14.如申请专利范围第13项所述之方法,该光阻图案包含负型或正型光阻层。15.一种半导体装置,系根据申请专利范围第10项所述之方法制造。16.一种半导体装置,系根据申请专利范围第15项所述之方法制造。图式简单说明:图1A及1B为横截面图示,说明形成光阻图案之常见方法;图2A为横截面图示,显示光阻图案基于步进机之解析度而形成;图2B为横截面图示,显示本发明由臭氧灰化器形成薄型光阻图案;图3为一概要图示,说明本发明使用臭氧灰化器以形成微光阻图案;及图4A至4C为横截面图示,显示本发明之光阻图案的线条宽度变化。 |
