发明名称 |
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法 |
摘要 |
一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法,根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模,对光刻胶进行两次涂胶,进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘,并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上,然后采用移动掩模法进行曝光,即在曝光过程中移动掩模,再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培,得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒),比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级,并且不需购置昂贵的设备,节约了制作成本,而且利用该方法制作的连续微透镜阵列,其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区,故填充因子接近100%。 |
申请公布号 |
CN100343698C |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
CN03123567.0 |
申请日期 |
2003.05.29 |
申请人 |
中国科学院光电技术研究所 |
发明人 |
张晓玉;潘丽;杜春雷 |
分类号 |
G02B3/08(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B3/08(2006.01) |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 |
代理人 |
刘秀娟 |
主权项 |
1、一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法,其特点在于包括下列步骤:(1)根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模;(2)对光刻胶进行两次涂胶;(3)进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘培;(4)将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上;(5)然后采用移动掩模法进行曝光,并在曝光过程中移动掩模;(6)再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培,得到微透镜阵列。 |
地址 |
610209四川省成都市双流350信箱 |