| 发明名称 | 结晶装置、结晶方法及相位转换机构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。 | ||
| 申请公布号 | CN100343947C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN03158410.1 | 申请日期 | 2003.09.09 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种结晶装置，其特征在于，具备：照明系统(2)，其照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换机构(1)，该相位转换机构(1)包括以形成直线的边界(10a)的方式邻接、且以第1相位差透过从上述照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域(11、12)，该相位转换机构(1)对上述照明光进行相位调制，以便光强度具有在与上述边界(10a)相对应的上述非单晶半导体膜(3)上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布；上述相位转换机构(1)还具有微小区域(13)，从上述边界(10a)朝上述第1和第2区域(11、12)的至少一方扩展，以第2相位差对上述第1和第2区域(11、12)的至少一方透过从上述照明系统(2)来的照明光。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||