发明名称 ALUMINUM NITRIDE SINTER AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FORMED THEREFROM
摘要 <p>Produit de filtrage de nitrure d'aluminium fortement thermoconducteur, comprenant de 95,5 à 99,8 % en poids d'une phase de particles cristallines de nitrure d'aluminium d'une taille particulaire moyenne comprise entre 2 et 10 mum, le reste étant essentiellement une phase d'oxyde de dysprosium, possédant une densité supérieure ou égale à 99 % de la densité théorique, et où 30 % en poids ou davantage de ladite phase d'oxyde existe en de triples points entre lesdites particles cristallines de nitrure d'aluminium. Un substrat semi-conducteur formant des jonctions de grande résistance avec de la soudure peut être obtenu par la formation d'une couche d'oxyde du type alumine sur le produit de frittage et par le dépôt par placage sur ladite couche d'une autre de Ni et/ou Cu, une couche déposée sous vide étant intercalée entre les couches susmentionnées.</p>
申请公布号 WO8801259(A1) 申请公布日期 1988.02.25
申请号 WO1987JP00607 申请日期 1987.08.13
申请人 HITACHI METALS, LTD. 发明人 IYORI, YUSUKE;FUKUSHIMA, HIDEKO
分类号 C04B35/581;C04B41/50;C04B41/51;C04B41/52;H01L21/48;H01L23/15;(IPC1-7):C04B35/58;C04B41/90 主分类号 C04B35/581
代理机构 代理人
主权项
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