PROCESS FOR FABRICATING STACKED MOS STRUCTURES

摘要

Un procédé de fabrication d'une structure d'un circuit intégré tridimensionnel auto-aligné ayant deux régions de canaux sensibles à une électrode de porte commune (7) consiste à former une région de décollage relativement épaisse (11) sur l'électrode de porte (7) et en alignement avec cette dernière. Une couche d'oxyde épaisse (16) est ensuite déposée sur la structure de manière à former un oxyde contraint (18, 19) s'étendant depuis les parois latérales de la couche de décollage. Une attaque sélective de l'oxyde contraint (18, 19) est ensuite effectuée. L'oxyde relativement épais (21) recouvrant la couche de décollage (11) est ensuite enlevé avec le décapage de la couche de décollage (11), le décapage s'effectuant au travers des parois latérales exposées de la couche de décollage. La formation d'un oxyde de porte d'un transistor à effet de champ supérieur (24) et d'un dépôt harmonique de polysilicium (26) retient le contour de l'évidement formé par le décollage. L'évidement aligné avec la porte est ensuite rempli d'un matériau de masquage dopant (30) par déposition et attaque, lequel matériau de masquage dopant (30) définit ensuite pendant l'implantation ou la diffusion une région de canaux de transistor à effet de champ supérieure (59) auto-alignée avec l'électrode de porte commune (7).