| 摘要 |
Un système de mémoire à faisceau d'électrons comprend un substrat (14) monté en vue de sa rotation et portant un support (13) de stockage d'informations. Des moyens sont prévus pour faire pivoter le substrat. Un canon à électrons (18) comprend une cathode à émission de champ (38) munie d'une extrémité émettrice (40), une anode (50) et des moyens pour développer et appliquer entre l'extrémité et l'anode un potentiel d'accélération prédéterminé, afin de former une source d'électrons à forte luminosité au niveau de l'extrémité et afin de permettre à un faisceau d'électrons de se former à travers l'anode. Le canon à électrons comprend un dispositif à lentille de focalisation (54) destiné à recevoir le faisceau et à former une sonde de faisceau d'électrons étroit mais intense à une première distance de focalisation prédéterminé (FD2). Un système à faisceau pulsé numérique à cadence élevée comprend un moyen de génération d'impulsions de tension (74), destiné à developper une série d'impulsions de tension d'amplitude et de durée prédéterminées, ainsi qu'un moyen permettant d'appliquer les impulsions au canon d'électrons, de telle sorte que les impulsions soient ajoutées ou soustraites au potentiel d'accélération, de façon à permettre au dispositif à lentille de focalisation de focaliser le faisceau à une seconde distance de focalisation prédéterminée (FD1) différente de la première distance de focalisation. La position du canon à électrons par rapport au support d'enregistrement est telle que l'une des deux distances de focalisation correspond à la distance entre le dispositif à lentille de focalisation et le support d'enregistrement. |
