发明名称 轻小电介质透光率分离方法和设备
摘要 轻小电介质透光率分离方法是使消除静电的电介质于黑暗环境中单层吸附在具有发散电场的光电导体表面,经定量曝光、改变电介质受力状态使透光率不同的电介质分离的方法,实现方法的设备包括含差速撒布机构的送给机构,光电作用分离机构和预处理部件。本发明不要求电介质作严格排列的预处理,实施条件易于建立,设备结构简单,操作方便,对电介质无损伤,改善劳动条件,极大地提高生产率。
申请公布号 CN87105473A 申请公布日期 1988.02.24
申请号 CN87105473 申请日期 1987.08.08
申请人 山西大学 发明人 金以丰;徐晋安;孙吉甫;曹后
分类号 B03C7/00;B07C5/344;B07C5/342 主分类号 B03C7/00
代理机构 山西省专利服务中心 代理人 张乐中
主权项 1、对于重量<5mg、密度<2mg/mm3、电阻率>1010Ωcm、化学稳定、干燥、非易燃易爆的电介质按透光率不同进行分离的方法,其特征是使消除静电的待分电介质于黑暗环境中单层吸附在经充电后具有发散电场的光电导体表面,然后曝光,并改变曝光后电介质的受力状态,其中环境黑暗程度应使光电导体在所需工作过程中的暗衰电压值≤光电导体充电后携带电压的10%,光电导体的充电电压及其电场的发散程度应使待分电介质在到达光电导体表面时被极化,并为光电导体充分吸附,曝光应在充分吸附之后开始,改变电介质的受力状态应自曝光开始后或曝光结束后开始,曝光量和电介质受力状态改变的程度,应使低透光率电介质在光电导体表面仍被吸附,高透光率电介质失去光电导体的吸附力并脱离光电导体或高透光率电介质减弱被光电导体的吸附力并在状态改变后的受力作用下脱离光电导体,上述全过程可以重复使用。
地址 山西省太原市坞城路