| 发明名称 | 纳米级物质的结构控制方法和使用该结构控制方法的纳米级低维量子结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 在氧氛围下，向纳米级低维量子结构的混合物照射电磁波，有选择地使状态密度与照射的电磁波共振的低维量子结构氧化。这样可以从纳米级低维量子结构的混合物中，有选择地使特定结构的低维量子结构消失。 | ||
| 申请公布号 | CN100584742C | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200480024235.9 | 申请日期 | 2004.08.18 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 前桥兼三;井上恒一;松本和彦;大野恭秀 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;C01B21/064(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 武玉琴;王继文 |
| 主权项 | 1.一种纳米级物质的结构控制方法，其特征在于，在大气中，向状态密度不同的纳米级低维量子结构的混合物照射能量密度为10kW/cm2的电磁波，有选择地使状态密度与该电磁波共振的低维量子结构氧化。 | ||
| 地址 | 日本琦玉县 | ||