| 发明名称 | 制造纳米结构的交叉结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造诸如纳米线和碳纳米管的纳米结构的交叉结构的技术。在一个实施方案中，制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，图案化所述衬底上的第一掩模层，将第一纳米结构吸附到其中不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，将第一掩模层从衬底移除，图案化其中吸附有第一纳米结构的衬底上的第二掩模层，和在衬底上有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在第二掩模层的衬底的表面区域上。 | ||
| 申请公布号 | CN101645391A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200810172612.3 | 申请日期 | 2008.11.04 |
| 申请人 | 首尔大学校产学协力团 | 发明人 | 洪承焄;朴成英;南宫宣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造纳米结构的交叉结构的方法，包括：提供衬底；图案化在所述衬底上的第一掩模层；将第一纳米结构吸附到其中不存在所述第一掩模层的所述衬底的表面区域上；将所述第一掩模层从所述衬底移除；图案化在其上组装有所述第一纳米结构的所述衬底上的第二掩模层；和在对制造纳米结构的交叉结构有效的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在所述第二掩模层的所述衬底的表面区域上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||