发明名称 |
一种铁皮石斛的培植方法 |
摘要 |
本发明涉及铁皮石斛的培植方法,包括以下步骤:(1)不定芽诱导:将消毒完的石斛茎段在诱导培养基中培养28‑30d,该诱导培养基为:MS基本培养基、0.1‑0.15mg/L萘乙酸、0.5‑1.0mg/L的6‑苄氨基腺嘌呤、3wt%蔗糖、0.8wt%琼脂;(2)不定芽的增殖:诱导结束后,将茎段在节间处长出新芽切下,接种于诱导培养基中继代增殖30‑32d,在切口处获得丛生芽;(3)壮苗及生根移栽:将丛生芽切成单苗,转入壮苗培养基中进行壮苗培养20d,当芽发育为高2‑3cm、并具有2‑3片叶片时即可进行生根培养,生根培养时间为28d;其中壮苗培养基为:B5培养基、3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂、3wt%有机肥、15g/L土豆泥;生根培养基为:1/2MS基本培养基、0.3‑0.5mg/L萘乙酸、0.3‑0.5wt%活性炭。 |
申请公布号 |
CN103621404B |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201310610642.9 |
申请日期 |
2013.11.27 |
申请人 |
铄洋生物科技(上海)股份有限公司 |
发明人 |
许维龙 |
分类号 |
A01H4/00(2006.01)I |
主分类号 |
A01H4/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
胡晶 |
主权项 |
一种铁皮石斛的培植方法,其特征在于包括以下步骤:(1)不定芽诱导:取铁皮石斛当年生幼嫩茎段,切成长度为1‑1.5cm、带1‑2个腋芽的小茎段,冲洗后,先用75%的酒精浸泡30s,然后用0.1%的氯化汞消毒10‑12min,再经无菌水冲洗4‑5次;将消毒完的石斛茎段在诱导培养基中培养28‑30d,该诱导培养基为:MS基本培养基、0.1‑0.15mg/L萘乙酸、0.5‑1.0mg/L的6‑苄氨基腺嘌呤、3wt%蔗糖、0.8wt%琼脂;(2)不定芽的增殖:诱导结束后,将茎段在节间处长出新芽切下,接种于诱导培养基中继代增殖30‑32d,在切口处获得丛生芽;(3)壮苗及生根移栽:将丛生芽切成单苗,转入壮苗培养基中进行壮苗培养20d,当芽发育为高2‑3cm、并具有2‑3片叶片时即可进行生根培养,生根培养时间为28d;其中壮苗培养基为:B5培养基、3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂、3wt%有机肥、15g/L土豆泥;生根培养基为:1/2MS基本培养基、0.3‑0.5mg/L萘乙酸、0.3‑0.5wt%活性炭;所述培植方法中,培养温度为25℃,光照强度为2000lx,光照时间为12h/d;所述铁皮石斛的培植方法能够减少转接次数1‑2次,降低了污染,降低了成本,提高了组培苗存活率达30%以上。 |
地址 |
201616 上海市松江区小昆山镇镇中心路428号1号房 |