| 摘要 |
Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats wird bereitgestellt. Das Verfahren kann beinhalten, eine Folie über einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats auszubilden, wenigstens ein Trenngebiet in dem Halbleitersubstrat zwischen einem ersten Gebiet und einem zweiten Gebiet des Halbleitersubstrats auszubilden, das Halbleitersubstrat auf einer Brechvorrichtung anzuordnen, wobei die Brechvorrichtung eine Bruchkante aufweist und wobei das Halbleitersubstrat derart angeordnet ist, dass die Folie der Brechvorrichtung zugewandt ist, und in wenigstens einer Ausrichtungsposition mit dem wenigstens einen Trenngebiet an der Bruchkante ausgerichtet, und das Halbleitersubstrat zu zwingen, das erste Gebiet in Bezug auf das zweite Gebiet über die Bruchkante zu biegen, bis die Folie zwischen der Bruchkante und dem wenigstens einen Trenngebiet getrennt wird. |
