| 发明名称 | 半导体钾离子传感器 | ||
| 摘要 | 半导体钾离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Mos管、敏感膜、电极杆组成，其特征是敏感膜用双冠醚组成，Mos管引出的探头接口处，用硅橡胶密封，能专一性的测定待测液钾离子活度。该电极具有性能稳定、灵敏度高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN85205673U | 申请公布日期 | 1988.02.10 |
| 申请号 | CN85205673 | 申请日期 | 1985.12.11 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 朱春生;黄德培;王德枌;付庭治;胡宏纹 |
| 分类号 | G01N27/26 | 主分类号 | G01N27/26 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种由MOS管、敏感膜、电极杆所组成的半导体钾离子传感器，其特征是：用乙醇和乙醚预先处理，由MOS管栅极上引出的铂丝，然后在铂丝上涂复由双冠醚、四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成的敏感膜，MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成传感器的探头。 | ||
| 地址 | 江苏省南京市汉口路南京大学科研处 | ||