| 摘要 |
1. Электрически перепрограммируемый запоминающий прибор, состоящий:из определенного порядка резистивно-программируемых ячеек памяти, сформированных в халькогенидном материале, который включает как минимум две запоминающие ячейки;вышеназванные ячейки памяти имеют как минимум два интерфейса между халькогенидными пленками; в одних из вышеназванных пленок содержится кислород, или фтор, и эти вышеназванные халькогенидные пленки контактируют (имеют интерфейс) с многослойным халькогенидным материалом, содержащим определенную концентрацию электрически активных примесей-доноров, и этот вышеназванный многослойный халькогенидный материал помещен между двумя вышеназванными ячейками памяти и;множества электродов, включающих первый и второй электроды и два отводящих электрода; вышеназванный первый электрод позиционирован ниже всех, и он электрически контактирует с нижней областью первой ячейки памяти; вышеназванный, второй электрод позиционирован сверху и он электрически контактирует с верхней областью второй ячейки памяти; и вышеназванные два отводящих электрода, расположенные между вышеназванными первым и вторым электродами и электрически контактирующими с вышеназванной высшей областью вышеназванной первой ячейки памяти и с вышеназванной низшей областью, вышеназванной второй ячейки памяти.2. Запоминающий прибор по п. 1, где вышеназванная высшая область первой ячейки памяти и вышеназванная низшая область второй ячейки памяти, каждая включает в себя область в виде источника ионов и область, имеющую переменную концентрацию добавок, состоящих из положительно заряженных примесей доноров.3. Запоминающий прибор |
