| 摘要 |
サファイア基板１０のパターン加工面の上に、半導体ＬＥＤ層がエピタキシャル成長される。パターン加工面は光取り出しを高める。ＬＥＤ層はｐ型層及びｎ型層を含む。ｎ型層を露出させるようにＬＥＤ層がエッチングされる。ｐ型層及びｎ型層と電気的に接触してｐメタルコンタクト３２及びｎメタルコンタクト３３を形成するよう、１つ以上の第１の金属層がパターニングされる。第１の金属層の上に誘電体ポリマー応力緩和層３６がスピンコーティングされて、第１の金属層の上に実質的に平面状の表面が形成される。応力緩和層は、ｐメタルコンタクト及びｎメタルコンタクトを露出させる開口を有する。金属はんだパッド４４、４５が、応力緩和層の上に形成され、応力緩和層内の開口を通じてｐメタルコンタクト及びｎメタルコンタクトと電気的に接触する。応力緩和層は、はんだパッドとその下に位置する層とのＣＴＥの違いを受け入れるバッファとして作用する。 |
