| 发明名称 | 高能级磁控溅射离子镀技术 | ||
| 摘要 | 高能级磁控溅射离子镀技术是在具有一个工件负高压电源的磁控溅射离子镀装置中实现的。该离子镀工艺使镀膜有一个靶材(膜材)元素和基材元素共存的过渡层；镀膜中能出现靶材元素和基材元素组成的化合物相和固溶体相；多辉光高能级磁控溅射离子镀技术，进一步扩展了镀膜过渡层，并能沉积多层次镀膜、多元素镀膜以及反应镀膜。上述技术可以满足对表面的不同性能的要求。该项技术还具有节约能源，无公害等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN85102600B | 申请公布日期 | 1988.02.03 |
| 申请号 | CN85102600 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 大连工学院 | 发明人 | 陈宝清;朱英臣;王玉魁;王斐杰 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 大连工学院专利事务所 | 代理人 | 修德金 |
| 主权项 | 1、一种用于在金属基工件上镀覆金属的高能级磁控溅射离子镀工艺，包括：(1)将工件(8)置于真空室(1)中(2)将真空室的真空度调至1.33×10-2帕斯卡(3)向真空室充氩气，使真空度达到2.67×10-1帕斯卡(4)接通溅射电源(5)，使溅射靶的工作电压为600伏，工作电流为15安培其特征在于在溅射过程中利用一个适合于磁控溅射条件下工作的负高压电源(9)对工件(8)加偏压，实现离子镀工艺。 | ||
| 地址 | 辽宁省大连市凌水河 | ||