半导体光控变容器

摘要

本发明公开一种半导体光控变容器，属半导体光电子器件，是一种由光源控制的对光辐射敏感的半导体器件，具MINP四层结构，是以其两端电压为参变量的其两端电容值随光强变化的器件。具有如下各方面用途：作为光敏可变电容二极管、变容式光控开关、光电耦合器、光控有源滤波器和光强一频率变换器等。本器件工艺一般，且与集成电路工艺相容，易于制得复合功能的集成块。

主权项

1、一种MINP四层结构的光控变容器，属光敏半导体器件，其特征是该器件由增透膜[1]、栅状的集电极[2]、绝缘层[3]、N型外延层[4]、P型衬底[5]和发射极[6]组成，该器件的电容值为光强I和偏置电压Vec的函数。