发明名称 METHOD FOR MAKING OHMIC CONTACT, FAVOURABLY FOR APPLICATING THIS ON COMPOUND SEMICONDUCTORS
摘要
申请公布号 HU194444(B) 申请公布日期 1988.01.28
申请号 HU19850000601 申请日期 1985.02.19
申请人 MTA MUESZAKI FIZIKAI KUTATO INTEZETE,HU 发明人 KOVACS,BALAZS,HU;MOJZES,IMRE,HU;NEMETHNE SALLAY,MARGIT,HU;VERESEGYHAZI,ROBERT,HU;GERASZIMENKO,NYIKOLAJ NY.,SU;VASZILJEV,SZERGEJ V.,SU
分类号 H01L21/268;(IPC1-7):H01L21/268 主分类号 H01L21/268
代理机构 代理人
主权项
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