| 摘要 |
Zur Inspektion und Vermessung feinster Strukturen in der Mikroelektronik und der integrierten Optik werden immer häufiger Rastermikroskope eingesetzt. Um unverzerrte und hochauflösende Abbildungen der im allgemeinen aus verschiedenen Materialkomponenten bestehenden Proben zu gewährleisten, müssen Aufladungen nichtoder schlechtleitender Oberflächen durch den abtastenden Primärstrahl vermieden werden. Es wird deshalb vorgeschlagen, die Probe mit Korpuskeln abzutasten, deren Energie oberhalb der höchsten Neutralpunktenergie aller Oberflächenmaterialien liegt. Die durch den Primärstrahl aufgebrachten negativen Ladungen werden durch Bestrahlung der Probe mit UV-Licht reduziert bzw. bei genügend hoher Strahlungsintensität vollständig abgebaut.
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