Metallization for integrated-circuit arrangements.

摘要

Die vorgeschlagene, für Leitbahnsysteme von integrierten Schaltungsanordnungen genutzte Sandwichmetallisierung mit einer Schichtenfolge aus Platinsilizid (2) und mehreren durch Alumninium- oder Aluminium-Silizium-Schichten mit und ohne Legierungszusätzen (4, 6) voneinander getrennten Titan-, Titanwolfram- oder Titannitridschichten (3, 5, 7) weist gegenüber bekannten Metallisierungen Vorteile hinsichtlich Strombelastbarkeit, Hillockbildung und Leitbahndefekten auf und bietet Möglichkeiten der Selektivätzung, geneigter Ätzflanken und erhebliche Platzeinsparungen bei Mehrlagenmetallisierungen.