| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI MONOLITICI A SEMICONDUTTORE CONTENENTI TRANSISTORI BIPOLARI A GIUNZIONE,TRANSISTORI CMOS E DMOS COMPLEMENTARI E DIODI A BASSA PERDITA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1188609(B) |
申请公布日期 |
1988.01.20 |
| 申请号 |
IT19860019231 |
申请日期 |
1986.01.30 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
BERTOTTI FRANCO;CINI CARLO;CONTIERO CLAUDIO;GALBIATI PAOLA |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/72;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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