| 主权项 |
1.在感应加热式磊晶系统中,创新设计基片在感热体上之摆置方法,在磊晶生长高温时,可降低基片的径向温度梯度,而达到零差排缺陷之磊晶生长,其作法是利用一垫片叠放在各基片正下方,一起置入感热体上方表面所设置的平底凹槽内,凹槽底部并设置有同轴平底陷槽;凹槽与陷槽之尺寸,因基片之尺寸而有其适切之深度及直径。2.第1.项所提之垫片,其材质及尺寸与基片完全相同,并且可以重覆使用。3.第1.项所提之平底凹槽,其适切深度为基片与垫片厚度的总和,其适切直径略大于基片直径,约0.2mm。4.第1.项所提之同轴平底陷槽,对直径等于76.2mm基片之磊晶生长,其适切深度在0.10~0.30mm之间,其适切直径不能小于基片直径的三分之二。一,且不能大于基片直径约三分之二。5.第1.项所提之同轴平底陷槽,对直径等于或小于50.8mm(2寸)基片之磊晶生长,此同轴平底陷槽可以省略。6.第1.项所提之发明,只需对第四项所提之深度与直径做适切的调整,亦适用于直径超过76.2mm以上基片之磊晶生长。 |
