发明名称 |
RPOCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI CIRCUITI INTEGRATI A SEMICONDUTTORE INCLUDENTI DISPOSITIV CMOS E DISPOSITIVI ELETTRONICI AD ALTA TENSIONE |
摘要 |
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申请公布号 |
IT1188465(B) |
申请公布日期 |
1988.01.14 |
申请号 |
IT19860019906 |
申请日期 |
1986.03.27 |
申请人 |
SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
ANDREINI ANTONIO;CONTIERO CLAUDIO;GALBIATI PAOLO |
分类号 |
H01L21/033;H01L21/76;H01L21/8234;H01L21/8236;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/033 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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