| 发明名称 |
SUBSTRATE WIRING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS637650(A) |
申请公布日期 |
1988.01.13 |
| 申请号 |
JP19860151007 |
申请日期 |
1986.06.27 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
MACHIDA KATSUYUKI;KOBAYASHI TOSHIO;MATSUI NORIO |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/768;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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