首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 EP0233791(A3) 申请公布日期 1988.01.13
申请号 EP19870301545 申请日期 1987.02.23
申请人 SGS MICROELETTRONICA SPA 发明人 POLIGNANO, MARIA LUISA
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com