| 摘要 |
<p>L'invention se rapporte à une nouvelle structure de diode à transfert d'électrons. Elle comporte un substrat (1) une couche métallique formant le contact de cathode (K), une couche de semi-conducteur d'entrée dopée N, (12), et une structure périodique composée de cellules élémentaires (10, 20, 30); chaque cellule comporte une région dopée courte balistique (11) délimitée de part et d'autre par une couche très mince, respectivement P<+>(12) et N<+>(13), et suivie d'une région de transit (14) de matériau homogène dopée N. Dans les régions balistiques courtes, les électrons acquièrent l'énergie nécessaire au transfert de la bande (Γ) à la bande (L) dans un temps inférieur au temps de collision, puis les régions de transit permettent de thermaliser les électrons qui abordent la région balistique suivante avec une énergie moyenne toujours égale. Un contact métallique d'anode (A) est prévu sur la dernière région de transit. Application aux diodes à transfert de charges à hautes performances travaillant dans la bande millimétrique.</p> |
