摘要 |
Une mémoire bipolaire rémanente (30, 90) utilise la technique de la comparaison sélective entre les bêtas des transistors bipolaires dégradés ou des tensions de base-à-émetteur et un bêta de transistor non dégradé ou une tension de base-à-émetteur, afin de produire les états de sortie logiques désirés à partir de ladite mémoire. |