发明名称 BIPOLAR PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD.
摘要 Une mémoire bipolaire rémanente (30, 90) utilise la technique de la comparaison sélective entre les bêtas des transistors bipolaires dégradés ou des tensions de base-à-émetteur et un bêta de transistor non dégradé ou une tension de base-à-émetteur, afin de produire les états de sortie logiques désirés à partir de ladite mémoire.
申请公布号 EP0250467(A1) 申请公布日期 1988.01.07
申请号 EP19860906616 申请日期 1986.10.14
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 BYNUM, BYRON, GLEN
分类号 G11C17/16;G11C17/18;(IPC1-7):G11C11/40 主分类号 G11C17/16
代理机构 代理人
主权项
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